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品类: MOS管描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-372895-24￥2.362525-49￥2.187550-99￥2.0650100-499￥2.0125500-2499￥1.97752500-4999￥1.93385000-9999￥1.9163≥10000￥1.8900 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。882810-49￥0.945050-99￥0.8960100-299￥0.8610300-499￥0.8400500-999￥0.81901000-2499￥0.79802500-4999￥0.7665≥5000￥0.7595 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。53035-24￥4.387525-49￥4.062550-99￥3.8350100-499￥3.7375500-2499￥3.67252500-4999￥3.59135000-9999￥3.5588≥10000￥3.5100 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。55445-49￥12.285050-199￥11.7600200-499￥11.4660500-999￥11.39251000-2499￥11.31902500-4999￥11.23505000-7499￥11.1825≥7500￥11.1300 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 65 A, 1.6 V, 250 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚60195-49￥17.690450-199￥16.9344200-499￥16.5110500-999￥16.40521000-2499￥16.29942500-4999￥16.17845000-7499￥16.1028≥7500￥16.0272 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRL3713STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.5 V730610-99￥8.7600100-499￥8.3220500-999￥8.03001000-1999￥8.01542000-4999￥7.95705000-7499￥7.88407500-9999￥7.8256≥10000￥7.7964 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。648110-99￥8.8800100-499￥8.4360500-999￥8.14001000-1999￥8.12522000-4999￥8.06605000-7499￥7.99207500-9999￥7.9328≥10000￥7.9032 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP4068D-EPBF 单晶体管, IGBT, 96 A, 1.65 V, 330 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚95555-49￥30.408350-199￥29.1088200-499￥28.3811500-999￥28.19921000-2499￥28.01722500-4999￥27.80935000-7499￥27.6794≥7500￥27.5494 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP35B60PDPBF 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.15 V, 308 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚11851-9￥191.291010-49￥186.300850-99￥182.4750100-199￥181.1443200-499￥180.1462500-999￥178.81551000-1999￥177.9838≥2000￥177.1521 -
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品类: MOS管描述: StrongIRFET™ 功率 MOSFET，Infineon Infineon 的 **StrongIRFE** 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。99505-24￥4.806025-49￥4.450050-99￥4.2008100-499￥4.0940500-2499￥4.02282500-4999￥3.93385000-9999￥3.8982≥10000￥3.8448 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, StrongIRFET™, N沟道, 195 A, 40 V, 0.00125 ohm, 10 V, 3 V932910-99￥10.8240100-499￥10.2828500-999￥9.92201000-1999￥9.90402000-4999￥9.83185000-7499￥9.74167500-9999￥9.6694≥10000￥9.6334 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFS7530TRLPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 195A, TO-263AB-3857310-99￥10.2000100-499￥9.6900500-999￥9.35001000-1999￥9.33302000-4999￥9.26505000-7499￥9.18007500-9999￥9.1120≥10000￥9.0780 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFS7430TRL7PP 晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 40 V, 0.00055 ohm, 10 V, 3 V831110-99￥7.9080100-499￥7.5126500-999￥7.24901000-1999￥7.23582000-4999￥7.18315000-7499￥7.11727500-9999￥7.0645≥10000￥7.0381 -
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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3130710-99￥8.6640100-499￥8.2308500-999￥7.94201000-1999￥7.92762000-4999￥7.86985000-7499￥7.79767500-9999￥7.7398≥10000￥7.7110 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IRFS52N15DTRLP TO-263962010-99￥8.0160100-499￥7.6152500-999￥7.34801000-1999￥7.33462000-4999￥7.28125000-7499￥7.21447500-9999￥7.1610≥10000￥7.1342 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。54305-24￥5.724025-49￥5.300050-99￥5.0032100-499￥4.8760500-2499￥4.79122500-4999￥4.68525000-9999￥4.6428≥10000￥4.5792 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRFS4610TRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 100 V, 0.011 ohm, 10 V, 4 V496210-99￥6.3840100-499￥6.0648500-999￥5.85201000-1999￥5.84142000-4999￥5.79885000-7499￥5.74567500-9999￥5.7030≥10000￥5.6818 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。231310-99￥8.1360100-499￥7.7292500-999￥7.45801000-1999￥7.44442000-4999￥7.39025000-7499￥7.32247500-9999￥7.2682≥10000￥7.2410 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF8010STRLPBF. 场效应管, MOSFET 晶体管898410-99￥6.3840100-499￥6.0648500-999￥5.85201000-1999￥5.84142000-4999￥5.79885000-7499￥5.74567500-9999￥5.7030≥10000￥5.6818 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷50755-24￥3.874525-49￥3.587550-99￥3.3866100-499￥3.3005500-2499￥3.24312500-4999￥3.17145000-9999￥3.1427≥10000￥3.0996 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRF3205STRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 55 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 V68295-24￥2.862025-49￥2.650050-99￥2.5016100-499￥2.4380500-2499￥2.39562500-4999￥2.34265000-9999￥2.3214≥10000￥2.2896 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。4666 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。485810-99￥8.9760100-499￥8.5272500-999￥8.22801000-1999￥8.21302000-4999￥8.15325000-7499￥8.07847500-9999￥8.0186≥10000￥7.9886 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能5453 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPD90P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -90 A, -30 V, 0.0033 ohm, -10 V, -1.5 V143210-99￥8.5800100-499￥8.1510500-999￥7.86501000-1999￥7.85072000-4999￥7.79355000-7499￥7.72207500-9999￥7.6648≥10000￥7.6362 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on) ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能67595-24￥3.685525-49￥3.412550-99￥3.2214100-499￥3.1395500-2499￥3.08492500-4999￥3.01675000-9999￥2.9894≥10000￥2.9484 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFET Infineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。 新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能504510-99￥6.3600100-499￥6.0420500-999￥5.83001000-1999￥5.81942000-4999￥5.77705000-7499￥5.72407500-9999￥5.6816≥10000￥5.6604 -
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品类: MOS管描述: 场效应管(MOSFET) IPD60N10S4L-12 TO-252-385845-24￥4.293025-49￥3.975050-99￥3.7524100-499￥3.6570500-2499￥3.59342500-4999￥3.51395000-9999￥3.4821≥10000￥3.4344
